DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, нет
Характеристики
Тип памяти
DDR4
Объем памяти
4 ГБ
Производитель
Samsung
Количество модулей в наборе
1
Стандарты памяти
PC4-25600
Частота памяти
3200 МГц
Тайминги
CL22
Напряжение питания
1.2 В
Форм-фактор памяти
260-pin SO-DIMM
Проверка и коррекция ошибок (ECC)
non-ECC
Буферизация
unbuffered
Охлаждение
нет
(Сборка) Высота модуля памяти
стандарт
(Сборка) Потребляемая мощность
5 Вт
Примечание
Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Отзывы